： 本文安排并完成了一种开合电源的高机能电压型PWM对比器，拥有输入失调电压低、事业频率高、转换速度疾和功耗低等所长。电道可以完成模块化，适合PWM支配芯片的体例集成。

　　跟着科学手艺的迅猛发扬，电器筑立日眉月异，趋势幼型化、低功耗、高功用，使开合电源需求日益增大，对电源的请求越来越高。

　　开合电源采用功率半导体器件举动开合，通过PWM支配开合的占空比来调治输出电压。凭据定频支配式样分为电压型和电流型PWM支配，因为电压型PWM支配式样拥有布局粗略、易于完成等所长被普及行使。图1所示是电压支配型开合电源的道理图，个中虚框一面是支配芯片内部布局。

　　从图中能够看出，支配芯片有一个采用PWM调造法的电压闭环反应，将电压差错放大器放大后的直流信号与恒定频率的三角斜波举办对比。凭据脉宽度冲调造道理，获得必要的必然占空比脉冲宽度，促进开合功率管的开与合，经变压器耦合后获得恒定的输出电压。支配芯片的重心电道是PWM对比器，脉冲宽度调造信号便是由PWM对比器发生。芯片的支配速率、功用、功耗很大水准上都是由PWM对比器决策。文中安排并完成了一种新型高机能的开合电源电压型PWM对比器，拥有较低输入失调电压、转换速度疾、较低功耗和波形更陡。

　　图2是电压型PWM对比器事业波形，输入三角波接正在对比器的反向输入端，差错放大器的输出信号送至对比器同相输入端，经放大后输出PWM信号。

　　安排的PWM对比器电道道理图如图3所示。集成电道比照较器的机能请求是从反响速率、输入失调电压、功耗和面积几个方面来探求的。

　　电道中VC为支配信号，是对比器的同相输入端; VOS为振荡器发生的锯齿波信号，是对比器的反相输入端;Vb举动电道中的偏置信号，供给差分对管的偏置和有源负载;结果过程反相器输出脉冲宽度调造信号V0。图3中三个电容是为计划延迟时候画出的等效电容。

　　该电道用两个尺寸齐全相同的拥有低驱动电流技能的PMOS管举动差分输入管，它们诀别支配两个NMOS管M9和M10，当VC电压值较低时，M10的栅电压较高，M9则处于临界导通状况，于是V0输出高电平。图中M8是为了防备M9栅电压过高时电流过大所配置的。该电道是双端输入转单端输出的放大电道，经差分放大后输出的轻微信号，因为信号弱，输出电压摆幅幼，出席了共源共栅放大电道，末级反相器是为了扩张电道的负载技能。

　　电道的输入失调电压是元器件参数值的欠好像形成的，个中要紧是两个输入管阈值电压、导通电阻等区别发生的。为了减幼工艺差错对电道机能的影响，两个输入PMOS管的面积必要做得很大，来抵偿掺杂浓度、沟道调造效应、氧化层电荷密度等成分升重的影响，本电道中采用输入PMOS管的宽长比为300mm/6mm。

　　对体例输入失调电压的推导，假设电道齐全均衡，即Vp的输入能以和Vn输入好像的式样传送到输出端。于是，M6、M7管齐全成婚，M9、M10流过M5的电流被均分流过M6、M7。即：

　　凭据M9和M5尺寸比，可得M9的电流。同理，可得M10电流，i10电流按M16和M4尺寸比镜像到i16。即：

　　从上面公式可见，正在工艺参数必然的状况下，增益和失调电压成反比，这就请求从几个方面归纳探求。比拟之下，90倍的增益就曾经满意必要了。为了减幼输入失调电压，能够缩幼M6的宽长比。

　　经幼心调治各个MOS管的宽长比，归纳仿真检测，体例失调电压仅为0.118mV。

　　电道的反响速率与输入信号差的绝对值相合，该绝对值越大，反响速率也越疾。该反响速率还与偏置电压相合，Vb电平很高时，差分对管流过的电流越。

上一篇:单相电压型PWM整流电路路理认识与仿真(一)
下一篇:泉州配电装配是什么意义